SIJH600E-T1-GE3
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Vishay Siliconix SIJH600E-T1-GE3
| Artikelnummer: | SIJH600E-T1-GE3 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Vishay / Siliconix |
| Teil der Beschreibung.: | N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET |
| Datenblätte: |
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| RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
| ECAD -Modell: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
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Vishay Siliconix SIJH600E-T1-GE3 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments SIJH600E-T1-GE3.Produkteigenschaften Eigenschaften VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Vgs (Max) ±20V Technologie MOSFET (Metal Oxide) Supplier Device-Gehäuse PowerPAK® 8 x 8 Serie TrenchFET® Gen IV Rds On (Max) @ Id, Vgs 0.92mOhm @ 20A, 10V Verlustleistung (max) 3.3W (Ta), 333W (Tc) Verpackung / Gehäuse PowerPAK® 8 x 8 Paket Tape & Reel (TR) Produkteigenschaften Eigenschaften Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Befestigungsart Surface Mount Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 9950 pF @ 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 212 nC @ 10 V Typ FET N-Channel FET-Merkmal - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 7.5V, 10V Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 37A (Ta), 373A (Tc) -
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